使用P+F倍加福传感器测量距离

使用P+F倍加福传感器测量距离

VDM28-15-L1-IO/73C/110/122 

VDM28-50-R1-IO/73c/110/122

测距传感器

VDM28-8-L1-IO/73c/110/122

测距传感器 VDM28-15-L1-IO/73c/110/122

使用物体进行距离测量

测量方法 PRT（脉冲测距技术）

服务和过程数据 IO-link 接口

模拟量输出 0/4 mA ... 20 mA

测量结果准确、清晰且可以再现

激光等级 1 级，视力无害

产品阐述

测距传感器，适用于测量物体，IO-Link 接口，脉冲测距技术 (PRT) 测量方法，15 m 检测范围，红色激光，激光等级 1 级，推挽输出，模拟量输出，M12 插头

规格

测量范围0,2 ... 15 m

参考目标柯达白 (90%)

光源激光二极管

当 Ta = +25 °C 时的典型使用寿命为 85,000 h

光源类型调制可见红光

激光额定值

注意激光 ， 切勿直视激光束

波长660 nm

光束发散< 1,5 mrad

脉冲长度大约 4 ns

重复率250 kHz

大脉冲能量< 1,5 nJ

角度偏差大 ± 2°

测量方法脉冲测距技术 (PRT)

光点直径< 15 mm 相距 15 m 在 20 °C 时

环境光限制50000 Lux

温度影响类型 ≤ 0,25 mm/K

功能性安全相关参数

MTTFd200 a

任务时间 (TM)10 a

诊断覆盖率 (DC)0 %

指示灯/操作方法

工作指示灯绿色 LED

功能指示灯2 个黄色 LED，用于指示开关状态

标定指示灯标定：绿色/黄色 LED 交替闪烁；2.5 Hz

标定误差：绿色/黄色 LED 非等相位闪烁；8.0 Hz

控制元件5 档旋转开关，用于选择操作模式（阈值设置和操作模式）

控制元件用于设置阈值的开关

电气技术规格

工作电压10 ... 30 V DC / 在 IO-Link 模式下工作时： 18 ... 30 V

纹波10 % 在电源容限内

空载电流≤ 70 mA / 24 V DC

可用前的时间延迟1,5 s

接口

接口类型IO-Link

协议IO-Link V1.0

循环时间小 2,3 ms

模式COM 2 (38.4 kb/s)

过程数据位宽16 位

SIO 模式支持是

输出

信号输出推挽输出，短路保护，反极性保护

开关电压大 30 V DC

开关电流大 100 mA

测量输出1 路模拟量输出 4 ...20 mA，短路/过载保护

开关频率50 Hz

响应时间10 ms

符合性

产品标准EN 60947-5-2

激光安全IEC 60825-1:2007

测量精度

精度± 25 mm

重复精度< 5 mm

和证书

EAC 符合性TR CU 020/2011

防护等级II， 当污染等级为 1-2 级（符合 IEC 60664-1 标准）时，额定电压 ≤ 250 V AC

UL cULus ，2 类电源，1 类外壳

CCC 额定电压 ≤ 36 V 时，产品不需要 CCC /标记

FDA IEC 60825-1:2007 符合 21 CFR 1040.10 和 1040.11，但存在符合 2007 年 6 月 24 日发布的 50 号激光通知的偏离情况

环境条件

环境温度-30 ... 55 °C (-22 ... 131 °F)

存储温度-30 ... 70 °C (-22 ... 158 °F)

机械规格

外壳宽度25,8 mm

外壳高度88 mm

外壳深度54,6 mm

防护等级IP67

连接4 针 M12 x 1 连接器

材料

外壳塑料 ABS

光学端面PUMA

质量90 g

P+F传感器工作特点原理

P+F传感器是用标准的硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。  传感器（图3）
P+F传感器通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。
P+F传感器薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底（基板）上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。
P+F传感器厚膜传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。
P+F传感器陶瓷传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺（溶胶、凝胶等）。

使用P+F倍加福传感器测量距离