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费斯托FESTO接近开关怎么调试才会正常运行

发布时间:2020/7/6      浏览次数:685
  费斯托FESTO接近开关怎么调试才会正常运行
 
  费斯托FESTO接近开关由四大部分5261组成:线圈、振荡器、触发4102电路1653及放大输出电路。振荡器产生一个高频电磁场,由线圈引出,然后再在传感器的感应端发出。当金属目标接近这一电磁场时,金属物体内将产生涡流,涡流的产生将吸收电磁场和震荡器的能量。当金属物体不断靠近传感器端面,能量的被吸收而导致衰减,当衰减达到一定程度时,触发电路将触发开关输出信号,从而达到非接触式之检测目的。
 
  费斯托FESTO接近开关的感应面由两个同轴金属电构成,很象“打开的”电容器电,该两个电构成一个电容,串接在RC振荡回路内。电源接通时,RC振荡器不振荡,当一目标朝着传感器感应面靠近时,电容容量增加,振荡器开始振荡。通过后电路的处理,将振和振荡两种信号转换成开关信号,从而起到了检测有无物体存在的目的。该传感器能检测金属物体,也能检测非金属物体,对金属物体可以获得的动作距离,对非金属物体动作距离决定于材料的介电常数,材料的介电常数越大,可获得的动作距离越大。
 
  费斯托FESTO接近开关可以根5261据不同的原理和不同的方法做成,而不同的位移4102传感器对物体的1653"感知"方法也不同,所以常见的接近开关有以下几种:
 
  费斯托FESTO接近开关不需要电源,通过磁力感应控制开关的闭合状态。当磁 或者铁质触发器靠近开关磁场时,和开关内部磁力作用控制闭合。特点:不需要电源,非接触式,免维护,环保。
 
  涡流式接近开关
 
  这种开关有时也叫电感式接近开关。它是利用导电物体在接近这个能产生电磁场接近开关时,使物体内部产生涡流。这个涡流反作用到接近开关,使开关内部电路参数发生变化,由此识别出有无导电物体移近,进而控制开关的通或断。这种接近开关所能检测的物体必须是导电体。
 
  1.原理:由电感线圈和电容及晶体管组成振荡器,并产生一个交变磁场,当有金属物体接近这一磁场时就会在金属物体内产生涡流,从而导致振荡停止,这种变化被后放大处理后转换成晶体管开关信号输出。
 
  2.特点:A、抗干扰,开关频率高,大于200HZ. B、只能感应金属
 
  3.应用在各种机械设备上作位置检测、计数信号拾取等。
 
  费斯托FESTO接近开关的测量通常是构成电容器的一个板,而另一个板是开关的外壳。这个外壳在测量过程中通常是接地或与设备的机壳相连接。当有物体移向接近开关时,不论它是否为导体,由于它的接近,总要使电容的介电常数发生变化,从而使电容量发生变化,使得和测量头相连的电路状态也随之发生变化,由此便可控制开关的接通或断开。这种接近开关检测的对象,不限于导体,可以缘的液体或粉状物等。
 
  费斯托FESTO接近开关开关是一种磁敏元件。利用霍尔元件做成的开关,叫做霍尔开关。当磁性物件移近霍尔开关时,开关检测面上的霍尔元件因产生霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化,由此识别附近有磁性物体存在,进而控制开关的通或断。这种接近开关的检测对象必须是磁性物体。
 
  费斯托FESTO接近开关利用光电效应做成的开关叫光电开关。将发光器件与光电器件按一定方向装在同一个检测头内。当有反光面(被检测物体)接近时,光电器件接收到反射光后便在信号输出,由此便可"感知"有物体接近。
 
  费斯托FESTO接近开关当观察者或系统对波源的距离发生改变时,接近到的波的频率会发生偏移,这种现象称为多普勒效应。声纳和雷达就是利用这个效应的原理制成的。利用多普勒效应可制成超声波接近开关、微波接近开关等。当有物体移近时,接近开关接收到的反射信号会产生多普勒频移,由此可以识别出有无物体接近。
 
  接近开关属于一种有开关量输出的位置传感器,它由LC高频振荡器和放大处理电路组成,利用金属物体在接近这个能产生电磁场的振荡感应头时,使物体内部产生涡流。这个涡流反作用于接近开关,使接近开关振荡能力衰减,内部电路的参数发生变化,由此识别出有无金属物体接近,进而控制开关的通或断。这种接近开关所能检测的物体必须是金属物体。
 
  费斯托FESTO接近开关亦属于一种具有开关量输出的位置传感器,它的测量头通常是构成电容器的一个板,而另一个板是物体的本身,当物体移向接近开关时,物体和接近开关的介电常数发生变化,使得和测量头相连的电路状态也随之发生变化,由此便可控制开关的接通和关断。这种接近开关的检测物体,并不限于金属导体,也可以是缘的液体或粉状物体,在检测较低介电常数ε的物体时,可以顺时针调节多圈电位器(位于开关后部)来增加感应灵敏度,一般调节电位器使电容式的接近开关在0.7-0.8Sn的位置动作。
 
  费斯托FESTO接近开关当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U,其表达式为
 
  U=K·I·B/d
 
  其中K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦慈力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。
 
  由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。
 
  霍尔开关属于这种有源磁电转换器件,它是在霍尔效应原理的基础上,利用集成封装和组装工艺制作而成,它可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号,同时又具备工业场合实际应用易操作和性的要求。
 
  霍尔开关的输入端是以磁感应强度B来表征的,当B值达到一定的程度(如B1)时,霍尔开关内部的触发器翻转,霍尔开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般采用晶体管输出,和接近开关类似有NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型(双性)、双信号输出之分
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