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美国AB模块，可采用和测量场效应晶（MOSFET）的方法来测试该模块。MOSFET的栅-阴间有一个结电容存在，故由此决定了高的输入阻抗和电荷保持功能。对于IGBT来说，存在一个G、E之间的结电容和C、E之间的结电容，利用其G、E之间的结电容的充电、电荷保持和放电特性，可以优检测出美国AB模块的好坏。
方法：将指针式万用表拨到R*10k档，黑表笔接C，红表笔接E，辞职所测量电阻值近乎无穷大；搭好表笔不懂，用手指将C与G碰一下再拿开，指示由无穷大阻值降为200kΩ；过十几二十秒之后，再测一下C、E之间的电阻（黑表笔接C，红表笔接E），仍能维持200kΩ的电阻不变；搭好表笔不动，用手指短接一下G、E，C、E之间的电阻又重新变味接近无穷大。
实际上美国AB模块，用手指碰一下C、G，是经人体电阻给栅，阴结电容充电，拿开手指后，因此电容无放电回路，故电容上的电荷能保持一段时间。此电容上的充电电压为正向激励电压，使IGBT出现微导通，G、E之间的电阻减小；次用手指短接G、E时，提供了电容的放电通路，随着电荷的释放，IGBT的激励电压小时，管子变为截止，C、E之间的电阻又趋于无穷大。
手指相当于一只阻值为数kΩ的电阻，提供栅阴电容充、放电的通路；因IGBT的导通需要比较高的正向激励电压（10V以上），所以使用指针式万用表的R*10k档（此档位内部电池供电为9V或12V），以满足IGBT激励电压的幅度。指针式万用表的电阻档，黑表笔接内部电池的正，红表笔接内部电池的负，因而黑表笔为正，红表笔为负。这种测量方法只能采用指针式万用表。
对于美国AB模块触发端子的测量，还可以配合电容表测其容量，以增加判断的准确度。往往功率容量大的模块，两端子间的电容值也稍大。
更新时间：2017-06-26 
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